壓力傳感器的標準流程如下

隨著工業(yè)技術的快速發(fā)展，壓力傳感器在精密測量領域的應用市場前景越來越廣闊。MEMS壓力傳感器應運而生。與傳統(tǒng)的壓力傳感器相比，MEMS壓力傳感器不僅體積小，而且測量精度高，功耗低，成本低。大多數(shù)MEMS壓力傳感器的壓力元件是硅膜片。根據(jù)不同的敏感機制，MEMS壓力傳感器可以分為三種:壓阻式、電容式和諧振式。其中，硅壓阻力MEMS壓力傳感器采用高精度半導體電阻應變片，形成惠斯頓。

壓力傳感器的標準流程如下:首先，將四個電阻應變片注入拋光的硅襯底，電阻應變片設計在硅膜表面應力大的地方，形成惠斯頓電橋。然后，在圓片的背面，從硅片的中間蝕刻出一個應力杯。鍵合圓片的背面。根據(jù)產(chǎn)品應用，可以在應力杯中抽真空制作絕壓MEMS設備，也可以保持應力杯與大氣的連接，制成表壓MEMS設備。產(chǎn)品封裝后，當硅膜兩側(cè)的壓差發(fā)生變化時，應力硅膜會發(fā)生彈性變形，破壞原有的惠斯頓電橋電路平衡，從而產(chǎn)生一個電橋。